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BAE系统公司与空军研究实验室（AFRL）签署了一项合作协议，旨在将美国空军开发的GaN半导体技术转移给先进微波产品（AMP）中心。
BAE将转移并进一步增强该技术，并将其扩展到6英寸晶圆，以降低每芯片成本，并保障这种关键技术可获取。
根据协议，BAE将与AFRL合作，建立一个140纳米的GaN MMIC工艺线，该工艺线将于2020年开始生产，并通过开放式代工服务向国防部（DoD）供应商提供产品。
BAE Systems的高级微波产品总监Scott Sweetland表示，“目前在研发实验室中，以低产量和高成本生产毫米波GaN，或者在国防供应商无法广泛使用的专属代工厂中生产。”该协议将利用AFRL的高性能技术和BAE Systems的6英寸制造能力，推动GaN MMIC的性能、可靠性和经济性，同时为这一关键技术提供更广泛的获取路径。
该项目的工作将主要在BAE位于新罕布什尔州纳舒厄的70,000平方英尺微电子中心（MEC）进行，该基地主要用于研究、开发和生产各种化合物半导体材料、器件、电路和模块，用于微波和毫米波应用。自2008年以来，MEC一直是经过认证的DoD 1A类可信供应商，并为关键的国防部计划生产量产的集成电路。
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